半導體外延爐是半導體設備中獲得原材料外延生長的核心設備，并通過控制溫度、氣氛和氣體壓力等數據，在襯底上堆積半導體器件，建立與基板晶相符的層析結晶。
1.反應室：
構造：分成平移式和立柱式，立柱式又可分為平臺式和桶式。立柱式外延性爐底座可旋轉，均勻度好，總產量大。
原材料：一般采用高純石英或不銹鋼，內部結構擺放煅后石油焦底座，表層覆蓋SiC或堆積光伏電池膜，以確保外延層品質。
2.加熱裝置：
基本原理：運用高頻加熱設備或輻射傳熱加溫，使底座溫度超過堆積需要范疇（一般600-1400℃）。
特性：高頻加熱設備根據渦流電磁場造成感應電流，傳熱效率高；輻射傳熱加熱均勻性強，但能源消耗比較大。
3.液相自動控制系統：
作用：控制反映汽體（如氯硅烷、H2）的流量占比，保證堆積全過程的穩定。
構成：包含質量流量控制器、汽體切換閥、噴頭等。
4.排放系統：
作用：及時排出反映廢氣，防治污染反應室。
構成：包含機械泵、尾氣處理裝置等。